半導体レーザチップおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 卓也 |
| 发表日期 | 2008-09-18 |
| 专利号 | JP2008218585A |
| 著作权人 | EUDYNA DEVICES INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザチップおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 CODを抑制することができる半導体レーザチップおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザチップ(100)は、下部クラッド領域(11a)と、下部クラッド領域上に形成されGaAlInAsからなる層を含む活性層(12)と、活性層上に形成された上部クラッド領域(11b)と、活性層の少なくとも一方の端部と光結合され少なくとも上下方向において光閉じ込めがなされInGaAsPからなる層を含みかつ活性層に比較してAl含有濃度が小さいコアを有する光導波路(13a,13b)とを備える。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2008-09-18 |
| 申请日期 | 2007-03-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64835]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | EUDYNA DEVICES INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 卓也. 半導体レーザチップおよびその製造方法. JP2008218585A. 2008-09-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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