半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 只友 一行; 岡川 広明; 渡部 信一; 平松 和政 |
| 发表日期 | 1995-10-20 |
| 专利号 | JP1995273367A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CABLE IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 クラック等を発生させることなく高品質の半導体基板を製造することが可能な半導体基板の製造方法、ならびにこの半導体基板を用いた高輝度、高信頼性を有する発光素子の製造方法を提供すること。 【構成】 本発明の半導体基板の製造方法は、半導体層形成用基板1上にバッファ層2を形成し、ついで該バッファ層2表面に、実質的にその上に結晶が成長し得ない材料で部分的にマスク3を形成することにより複数の露出部21を形成した後、該露出部21に半導体層4を形成する工程を有するものである。また、本発明の発光素子の製造方法は、上記方法により得られた半導体基板上に、半導体活性層および半導体クラッド層を有する多層部を形成する工程を有するものである。 |
| 公开日期 | 1995-10-20 |
| 申请日期 | 1994-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64840]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CABLE IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 只友 一行,岡川 広明,渡部 信一,等. 半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法. JP1995273367A. 1995-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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