Green photosemiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | SUZUKI TOORU |
| 发表日期 | 1985-09-07 |
| 专利号 | JP1985173893A |
| 著作权人 | NIPPON DENKI KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Green photosemiconductor laser |
| 英文摘要 | PURPOSE:To obtain the titled device of low oscillation threshold value by using a material where the substrate crystal is GaAs, ZnSe, or Ge; one clad layer is made of ZnSe of the first conductivity type, while the other clad layer is made of ZnSe of the second conductivity type or Cu (AlyGa1-y)Se2. CONSTITUTION:An active layer 14 is made of Cu(AlxGa1-x)Se2, being regarless of conductivity type. A carrier confinement and photo confinement layer (clad layer) 15 made of P type Cu(AlyGa1-y)Se2, where (x) and (y) satisfy a relation of 0 |
| 公开日期 | 1985-09-07 |
| 申请日期 | 1984-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64844]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON DENKI KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUZUKI TOORU. Green photosemiconductor laser. JP1985173893A. 1985-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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