半導体装置および半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 菱田 有二; 吉江 睦之 |
| 发表日期 | 1996-11-29 |
| 专利号 | JP1996316574A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置および半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 信頼性および歩留りが高く、かつ簡単で少ない工程で作製可能な電流阻止層を有する半導体発光素子を提供することである。 【構成】 n-GaAs基板1上に、n-ZnSSeクラッド層2、活性層3、p-ZnSSeクラッド層4およびPドープZnSe電流狭窄層5を順にエピタキシャル成長させる。PドープZnSe電流狭窄層5をストライプ状にエッチングし、p-ZnSSeクラッド層4上およびPドープZnSe電流狭窄層5上にp側電極6を形成し、n-GaAs基板1の下面にn側電極7を形成する。最後に、各半導体レーザチップ8の分離を行う。 |
| 公开日期 | 1996-11-29 |
| 申请日期 | 1995-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64850]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菱田 有二,吉江 睦之. 半導体装置および半導体発光素子. JP1996316574A. 1996-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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