光半導体素子、光半導体装置および光半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 遠山 政樹; 平山 雄三 |
| 发表日期 | 1999-10-29 |
| 专利号 | JP1999298092A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子、光半導体装置および光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光ファイバ結合光中に占める非導波光成分や近端反射成分を低減することで伝送特性の向上を図ると同時に、複数の光半導体素子を集積化した際の素子間での干渉を制御可能となる。 【解決手段】 本発明は出射端面において、光導波層を除去すると同時に、光導波層の延長線上近傍以外の領域に切り欠きを形成する。 |
| 公开日期 | 1999-10-29 |
| 申请日期 | 1998-04-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64851]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 遠山 政樹,平山 雄三. 光半導体素子、光半導体装置および光半導体素子の製造方法. JP1999298092A. 1999-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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