III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 国原 健二; 松原 邦雄; 新村 康; 進藤 洋一 |
| 发表日期 | 2000-09-22 |
| 专利号 | JP2000261099A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】p側のAl0.2Ga0.8N クラッド層にもクラックのないIII 族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】サファイア基板1と、少なくともその上に形成されたバッファ層2、n型のGaN 層3、クラック防止層C1、AlX Ga1-x N からなるnクラッド層4、Iny Ga1-y N からなる活性層5、GaN からなるp型光ガイド層6、AlX Ga1-x N からなるpクラッド層7およびGaN からなるpコンタクト層8を有するIII 族窒化物レーザーダイオードにおいて、前記p型光ガイド層と前記pクラッド層間にp型のGaN からなる低温バッファー層L1を介在させる。 |
| 公开日期 | 2000-09-22 |
| 申请日期 | 1999-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64853]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国原 健二,松原 邦雄,新村 康,等. III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法. JP2000261099A. 2000-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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