光素子および光電子装置
文献类型：专利
| 作者 | 山添 哲也 |
| 发表日期 | 1994-04-15 |
| 专利号 | JP1994104526A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光素子および光電子装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザの低ドループ量化。 【構成】 半導体レーザ素子5の前端面21、すなわち共振器20の前端面に二層に亘って保護コーティング膜23,24が設けられているとともに、後端面22に一層の保護コーティング膜25が設けられている。前記保護コーティング膜23は厚さλ/4のSiO2 膜からなり、保護コーティング膜24はλ/13のアモルファスSiからなっている。これによって、前端面の反射率は約50%となる。また、前記保護コーティング膜25は厚さλ/2のSiO2 膜からなり、後端面22の反射率は約32%となる。これによって、閾値電流Ithおよびスロープ効率ηs は小さくなり、ドループ量も小さくなる。 |
| 公开日期 | 1994-04-15 |
| 申请日期 | 1992-09-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64856]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山添 哲也. 光素子および光電子装置. JP1994104526A. 1994-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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