半導体短光パルス発生装置および短光パルスの発生方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮澤 丈夫; 岩村 英俊 |
| 发表日期 | 1993-04-16 |
| 专利号 | JP1993095152A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体短光パルス発生装置および短光パルスの発生方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 本発明は、超高速光通信に必要な短光パルスをモードロック法によって発生させることを目的とする。 【構成】 半導体ダブルヘテロ接合部を備えた光増幅領域22と、該光増幅領域の発光波長より短波長に光吸収端36を有し量子井戸層をはさむ半導体ダブルヘテロ接合によって構成される光変調領域24と、該光変調領域の吸収端より短波長に光吸収端をもつ半導体層ないしは量子井戸層をコア層とする光導波路領域23の3つの領域を、同一平面内で直列に接続し、該3つの領域が直列配置された構造の両端部に光の反射面を形成したものである。 【効果】 光増幅領域で光を発生させ、光変調領域への印可電圧を変調し、光変調領域の損失を変調することによって全体での利得を変調してモードロックを起こし、短光パルスを発生させることができる。 |
| 公开日期 | 1993-04-16 |
| 申请日期 | 1991-10-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64872]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮澤 丈夫,岩村 英俊. 半導体短光パルス発生装置および短光パルスの発生方法. JP1993095152A. 1993-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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