半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石原 久寛 |
| 发表日期 | 2007-09-20 |
| 专利号 | JP2007242664A |
| 著作权人 | NIDEC SANKYO CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】耐COD特性を非破壊で検査することにより、耐COD特性が低い半導体レーザ素子を確実に排除可能な半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】半導体レーザ素子10の製造後、あるいは光出射側の端面および反対側の端面にコーティング層16、17を形成した後、測定工程で、選別対象となる半導体レーザ素子10の逆方向電圧-逆方向電流特性の測定を行う。次に、選別工程では、逆方向電圧-逆方向電流特性の測定結果において、逆方向電圧を印加したときの逆方向電流レベルが低い半導体レーザ素子10を良品として選別する。このようにして選別された半導体レーザ素子10はいずれも、耐COD特性に優れている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-09-20 |
| 申请日期 | 2006-03-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64906]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIDEC SANKYO CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石原 久寛. 半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法. JP2007242664A. 2007-09-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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