ヘテロ構造レーザ
文献类型：专利
| 作者 | ジェームス ネルソン バイラージェオン; ケー-ユン チェン; アルフレッド イー チョー |
| 发表日期 | 1997-12-22 |
| 专利号 | JP1997331118A |
| 著作权人 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ヘテロ構造レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、エルビウムがドーピングされた増幅器を、0.98μmでポンピングするレーザ·ヘテロ構造ダイオードを提供する。 【解決手段】 本発明は、GaAs基板と、GaxIn1-x第1被覆層(xは0.48乃至0.54)と、AlaIn1-aP 第2被覆層(aは0.48乃至0.60の範囲)と、第一導波層と、活性層と、第二導波層と、(AlyGa1-y)zIn1-zP 第3被覆層(yは0.40乃至0.60、zは0.48 乃至0.54)と、Gax'In1-x'第4被覆層(xは0.48乃至0.54)と、接触層との順の層構造からなる。これにより、0.98μmでポンピングするエルビウムがドーピングされた増幅器は、従来信頼性で上回っていた480 μmでポンピングするものよりも注入電流および冷却が少なくなり、且つ信頼性を向上させることが可能となる。 |
| 公开日期 | 1997-12-22 |
| 申请日期 | 1997-03-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64908]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジェームス ネルソン バイラージェオン,ケー-ユン チェン,アルフレッド イー チョー. ヘテロ構造レーザ. JP1997331118A. 1997-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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