高出力レ—ザ—ダイオ—ドの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 邱 建 嘉; 史 光 國; 郭 威 宏; 何 晉 國 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223782A |
| 著作权人 | インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティテュート |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高出力レ—ザ—ダイオ—ドの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来技術より単純で、時間と費用を節約できる、高出力レーザーダイオードの製造方法を提供すること。 【解決手段】 高出力レーザーダイオードの製造方法は、アクティブ層、クラッド層、およびキャップ層からなるエピタキシ·ウェファを用意するステップ、エピタキシ·ウェファをリッジストライプ形状にエッチングするステップ、リッジストライプを埋め込むための非晶質電流ブロッキング層を形成するステップ、さらに、金属被膜プロセスを実行するプロセスからなる。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64914]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティテュート |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱 建 嘉,史 光 國,郭 威 宏,等. 高出力レ—ザ—ダイオ—ドの製造方法. JP2000223782A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。