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半導体レーザ直接結合型光導波路素子

文献类型:专利

作者園田 慎一郎; 福永 敏明
发表日期2000-09-08
专利号JP2000244064A
著作权人FUJI PHOTO FILM CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ直接結合型光導波路素子
英文摘要(修正有) 【課題】 半導体レーザと光導波路素子の結合効率を高くし、かつ長期信頼性を向上させる。 【解決手段】LiNbxTa1-xO3(0≦x≦1)基板上に光導波路が形成されてなり、TEモードで伝搬するビームの深さ方向のビーム径が5μm以上3.0μm以下となる光導波路素子を、GaAs基板とクラッド層と光導波層と活性層とからなる発振波長が0.8μm以上1μmの半導体レーザに直接結合してなる半導体レーザ直接結合型光導波路素子において、前記半導体レーザの前記光導波層と前記活性層の合計厚さが0.04μm以上0.2μm以下であることを特徴とする半導体レーザ直接結合型光導波路素子。
公开日期2000-09-08
申请日期1999-02-23
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64921]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FUJI PHOTO FILM CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
園田 慎一郎,福永 敏明. 半導体レーザ直接結合型光導波路素子. JP2000244064A. 2000-09-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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