平面發射型半導體雷射裝置及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 黑水勇一; 成井啓修; 山內義則; 田中嘉幸; 渡部義昭 |
| 发表日期 | 2004-11-16 |
| 专利号 | TW200425605A |
| 著作权人 | 新力股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 平面發射型半導體雷射裝置及其製造方法 |
| 英文摘要 | 一種平面發射型半導體雷射裝置，其包括在一n型砷化鎵梯狀基板上一多層結構，包括一下部反射器、一下部鍍覆層、一主動層、一上部鍍覆層、一上部反射器，及一p型接觸層。該梯狀基板包括一圓形(100)平面上層部份、一步進部份，及一環形(100)平面下層部份，其環繞該上層部份且其二者之間為該步進部份。當將矽當成一n型雜質植入形成中之砷化鋁層俾令砷化鋁層成長為梯狀基板上之電流侷限層時，上層部份上側之砷化鋁層之雜質濃度會高於步進部份上側，及上層部份上側之砷化鋁層之氧化速率會低於步進部份上側，是故上層部份上側之砷化鋁層之氧化進度會自動遏制。藉由砷化鋁層之氧化反應之時間控制，上層部份上側上之圓形砷化鋁層可維持在未氧化狀態下及具有準確形狀及準確區域。 |
| 公开日期 | 2004-11-16 |
| 申请日期 | 2004-05-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64923]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新力股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黑水勇一,成井啓修,山內義則,等. 平面發射型半導體雷射裝置及其製造方法. TW200425605A. 2004-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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