窒化物半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 秀一郎; 神川 剛; 川口 佳伸 |
| 发表日期 | 2007-07-05 |
| 专利号 | JP2007173581A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】コーティング膜を形成する前に、汚染物などを除去するために共振器端面をプラズマ雰囲気に暴露しても、初期CODレベルを高いものとすることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】窒化物半導体層20を形成したn型GaN基板21を劈開して共振器端面17a、17bを形成し、その上にコーティング膜18、19をそれぞれ形成して窒化物半導体レーザバー10とし、これを分割して窒化物半導体レーザ素子を作製する。コーティング膜18、19を形成する前に、共振器端面17a、17bをヘリウムプラズマを含むプラズマ雰囲気に曝露する。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2007-07-05 |
| 申请日期 | 2005-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64924]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 秀一郎,神川 剛,川口 佳伸. 窒化物半導体レーザ素子の製造方法. JP2007173581A. 2007-07-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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