半導体光素子とその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥 哲; 廣野 卓夫; 近藤 進; 野口 悦男 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145557A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子とその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ共振器の端面と共振器内の屈折率周期構造の相互の位置関係を厳密に規定する。 【解決手段】 基板1上に、活性層2、クラッド層3を形成する。SiO2膜11上に幅a、周期bのライン-スペースパタン12を形成する。両側には窓領域13を形成する。ライン-スペースパタン12をSiO2膜11に転写し、エッチングマスク14、エッチングマスク窓領域15を形成する。半導体基板に対し反応性ビームエッチングを行い、溝4を形成する。溝4の領域は、窓領域15に比べて微細なため、マイクロローディング効果が発現し、窓領域15に比べてエッチング速度が低下する。こうして、溝4の形成の際に、レーザ共振器の端面となる加工側壁5が同時に形成される。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64925]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥 哲,廣野 卓夫,近藤 進,等. 半導体光素子とその作製方法. JP1999145557A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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