感度可変導波路型の半導体受光素子
文献类型:专利
作者 | 吉田 順自; 横内 則之; 山口 武治; 西片 一昭 |
发表日期 | 1999-03-09 |
专利号 | JP1999068125A |
著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 感度可変導波路型の半導体受光素子 |
英文摘要 | 【課題】 広いダイナミックレンジを有し、低歪特性かつ低価格の光加入者系モジュール用受光素子を提供する。 【解決手段】 本受光素子10は、導波路型受光素子領域12と、受光素子領域の前段に設けられた光減衰領域14とをモノリシック集積した光減衰器集積導波路型受光素子として構成されている。本受光素子は、n-InP基板16上に順次に形成された、InP下部クラッド層18、光導波路層20、InP上部クラッド層22、及びGaInAsコンタクト層24から構成され、分離溝26により受光素子領域12と光減衰領域14とに分離されている。バンドギャップ·エネルギーが35eVの上部InPクラッド層22とバンドギャップ·エネルギーが0.85eVのGaInAsP光導波路層20bとの間にバンドギャップ·エネルギーが0eVで厚さ5nmのGaInAsP中間層32を介在させている。 |
公开日期 | 1999-03-09 |
申请日期 | 1997-08-15 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64930] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 順自,横内 則之,山口 武治,等. 感度可変導波路型の半導体受光素子. JP1999068125A. 1999-03-09. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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