結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 喜嶋 悟; 左中 由美 |
| 发表日期 | 1999-06-02 |
| 专利号 | JP1999147798A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 欠陥の少ない結晶層を成長させることができる結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板1の上にn型ZnMgSSe混晶よりなる第1導電型クラッド層3,ZnSSe混晶よりなる第1のガイド層4,ZnCdSe混晶よりなる活性層5,ZnSSe混晶よりなる第2のガイド層6,p型ZnMgSSe混晶よりなる第2導電型クラッド層7を順次成長させる。その際、成長表面をII族元素の面とVI族元素の面が共に存在する状態として成長させる。例えば、成長表面がRHEED観察におけるc(2×2)および(2×1)の双方が見られる状態として成長させる。具体的には、例えば亜鉛とセレンとの各粒子線の強度比を成長表面に到達する粒子線の量で亜鉛5〜7に対してセレンを5とする。これにより、欠陥のない結晶層を成長させることができる。 |
| 公开日期 | 1999-06-02 |
| 申请日期 | 1997-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64931]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,喜嶋 悟,左中 由美. 結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法. JP1999147798A. 1999-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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