屈折率導波型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 桜井 道彦; 二木 誠; 玉村 好司 |
| 发表日期 | 1993-05-18 |
| 专利号 | JP1993121831A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 屈折率導波型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】基板10上に第1クラッド層12、活性層14、第2クラッド層16、第3クラッド層18及びキャップ層20が形成されて成り、安定な単一横モードを高出力にて得ることができ、優れた温度特性を有する屈折率導波型半導体レーザを提供することにある。 【構成】屈折率導波型半導体レーザは、(イ)第3クラッド層18及びキャップ層20に、イオン注入によってキャリア注入領域32が設けられ、(ロ)第2クラッド層16と第3クラッド層18との間に、これらのクラッド層と同極性で且つ屈折率の異なる化合物半導体材料から成る内部ストライプ構造30が設けられている。 |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 申请日期 | 1991-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64937]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 桜井 道彦,二木 誠,玉村 好司. 屈折率導波型半導体レーザ. JP1993121831A. 1993-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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