半导体激光器件和设置有其的光信息记录设备
文献类型：专利
| 作者 | 山崎幸生 |
| 发表日期 | 2006-06-21 |
| 专利号 | CN1790844A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件和设置有其的光信息记录设备 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器件，其通过大大减小在垂直方向的FFP形状与高斯形之间的差异量而提供到拾取光学系统的高的耦合效率，并能通过减小所需的工作功率而以低成本制造。该半导体激光器件设置有按此顺序层叠的负电极、GaN衬底、第一n型覆层、n型光遮挡层、第一载流子停止层、有源层、第二载流子停止层、p型光波导层、p型覆层、p型接触层和正电极。 |
| 公开日期 | 2006-06-21 |
| 申请日期 | 2005-12-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64980]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎幸生. 半导体激光器件和设置有其的光信息记录设备. CN1790844A. 2006-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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