半导体发光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山口勉; 田代贺久; 森健三; 坂本博夫; 西田武弘 |
| 发表日期 | 2009-06-03 |
| 专利号 | CN101447640A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座(13)(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。 |
| 公开日期 | 2009-06-03 |
| 申请日期 | 2008-09-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64983]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口勉,田代贺久,森健三,等. 半导体发光装置及其制造方法. CN101447640A. 2009-06-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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