用于生产激光芯片的方法
文献类型：专利
| 作者 | S.格哈德; T.阿德尔霍赫; T.法伊特; A.莱尔; J.普法伊费尔; J.米勒; C.艾希勒 |
| 发表日期 | 2017-08-18 |
| 专利号 | CN107078455A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于生产激光芯片的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种用于生产激光芯片（140）的方法，包括如下的步骤：用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中半导体晶片具有沿着限定的断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构（141）；用于在半导体晶片的顶侧上创建多个凹处（200）的步骤，所述凹处被沿着破裂方向一个接在另一个之后地布置，其中每个凹处具有在破裂方向上一个接在另一个之后的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，在至少一个凹处的情况下，后边界表面相对于半导体晶片的顶侧倾斜在95°和170°之间的角度；以及用于在垂直于半导体晶片的顶侧定向并延伸通过凹处的破裂平面处在破裂方向上使半导体晶片破裂的步骤。 |
| 公开日期 | 2017-08-18 |
| 申请日期 | 2015-08-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64989]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | S.格哈德,T.阿德尔霍赫,T.法伊特,等. 用于生产激光芯片的方法. CN107078455A. 2017-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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