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光半导体装置及其制造方法

文献类型:专利

作者高木和久
发表日期2014-01-15
专利号CN103515841A
著作权人三菱电机株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名光半导体装置及其制造方法
英文摘要根据本发明,获得能够使半导体激光器部的振荡光的横模稳定化、并且防止频率特性的劣化的光半导体装置及其制造方法。在n-InP衬底(1)上集成有半导体激光器部(2)和光调制器部(3)。光调制器部(3)将从半导体激光器部(2)出射的光调制。半导体激光器部(2)具有垂直脊(4),光调制器部(3)具有倒台面脊(5)。这样由光调制器部(3)和半导体激光器部(2)来改变脊型结构,能够使半导体激光器部(2)的振荡光的横模稳定化,并且防止频率特性的劣化。
公开日期2014-01-15
申请日期2013-06-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65005]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
高木和久. 光半导体装置及其制造方法. CN103515841A. 2014-01-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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