以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 徐靖中 |
| 发表日期 | 2012-10-03 |
| 专利号 | CN102709807A |
| 著作权人 | 徐靖中 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器。包括一级热沉，Au-Sn焊层电极(正负极)，激光器芯片，连接金线，次级铜热沉以及改进的F封装结构。本发明特色在于与芯片直接接触的一级热沉采用SiC晶片，其热胀系数与芯片衬底材料的热胀系数相近，在消除芯片与铜热沉之间的热胀系数不匹配的同时，最大限度扩展芯片有效散热面积，均化热流密度分布，降低了系统热阻，从而显著减少芯片工作时热量的积累。数值模拟表明，在同等条件下，采用此种新型热沉结构设计可使散热功率增加近60％。采用改进的F封装结构，电极引线7、8直接从+-极Au-Sn焊层引出，减少了电极引线焊接点，有利于提高器件整体可靠性。 |
| 公开日期 | 2012-10-03 |
| 申请日期 | 2012-04-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65019]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 徐靖中 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐靖中. 以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器. CN102709807A. 2012-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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