半导体激光器元件
文献类型：专利
| 作者 | 岩见正之; 石井宏辰; 岩井则广; 松田竹善; 粕川秋彦; 石川卓哉; 川北泰雅; 锻治荣作 |
| 发表日期 | 2016-10-12 |
| 专利号 | CN106030939A |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器元件 |
| 英文摘要 | 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。 |
| 公开日期 | 2016-10-12 |
| 申请日期 | 2015-03-11 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65050]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩见正之,石井宏辰,岩井则广,等. 半导体激光器元件. CN106030939A. 2016-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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