n型硅光辅助电化学腐蚀装置
文献类型：专利
| 作者 | 王国政; 李野; 端木庆铎 |
| 发表日期 | 2008-10-15 |
| 专利号 | CN101285209A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | n型硅光辅助电化学腐蚀装置 |
| 英文摘要 | n型硅光辅助电化学腐蚀装置属于硅微细加工技术领域。已知技术采用卤素灯为光源，采用滤光片滤除大于800nm的光辐射。该方案导致光激发效率大大降低，并且，无法通过采用波长较长的光激发的同时，精密控制光源实现高效率激发及避免有害激发。再有，其光源能耗大，发热量也大，体积大。本发明采用发光二极管(LED)或者半导体激光器(LD)为光源，发射波长在700nm～1100nm之间，光源的电源功率在0.1W～100W之间。全面克服了已知技术存在的不足。可应用于在n型硅片上刻蚀具有较大长径比的微通道。 |
| 公开日期 | 2008-10-15 |
| 申请日期 | 2008-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65060]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王国政,李野,端木庆铎. n型硅光辅助电化学腐蚀装置. CN101285209A. 2008-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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