一种Er3+/Nd3+共掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法
文献类型:专利
作者 | 何仕楠; 夏海平; 汤庆阳; 盛启国 |
发表日期 | 2016-08-10 |
专利号 | CN105839184A |
著作权人 | 宁波大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种Er3+/Nd3+共掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种Er3+/Nd3+共掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法。在Na5Lu9F32单晶体中掺入Er3+与Nd3+离子,Nd3+作为敏化离子。该单晶体的OH‑离子的含量少,在2.7μm波段没有吸收,它的最大声子能量低(440cm‑1)。在800nm激光二极管激发下,获得具有大幅增强2.7μm发光效应。用加热温场上移法进行晶体生长具有设备简单、实用性强等特性。该技术可克服由于机械传动对晶体造成的色带、生长条纹等缺陷,有利于获得优质单晶体。 |
公开日期 | 2016-08-10 |
申请日期 | 2016-03-15 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65076] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 宁波大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 何仕楠,夏海平,汤庆阳,等. 一种Er3+/Nd3+共掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法. CN105839184A. 2016-08-10. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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