一种倒装垂直腔半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 崔碧峰; 王阳; 房天啸; 郝帅 |
| 发表日期 | 2017-07-14 |
| 专利号 | CN106953233A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种倒装垂直腔半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 一种倒装垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种结构的垂直腔半导体激光器，包括键合到衬底上的P面电极、P型DBR、限制层、有源区、限制层、N型DBR、ZnO透明电极、SiO2和金属电极，实现了小出光孔径的控制。解决了传统垂直腔半导体激光器以氧化物限制难以实现小出光孔径以及同时需要在底面出光面进行双面光刻以形成对应的出光窗口，并在出光窗口上制备增透膜的问题。该发明在ZnO透明电极的作用下进行出光孔径的控制，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。 |
| 公开日期 | 2017-07-14 |
| 申请日期 | 2017-05-18 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65081]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔碧峰,王阳,房天啸,等. 一种倒装垂直腔半导体激光器结构. CN106953233A. 2017-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。