半导体光元件、半导体激光元件、及其制造方法、和半导体激光模块元件以及半导体元件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 衣川耕平; 谷口英广; 田岛正文 |
| 发表日期 | 2015-10-21 |
| 专利号 | CN104995805A |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体光元件、半导体激光元件、及其制造方法、和半导体激光模块元件以及半导体元件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件，其具有半导体层叠部，该半导体层叠部具有光波导层，所述半导体层叠部，在所述半导体层叠部的最表面与所述光波导层之间，包含具有抑制原子空孔扩散的功能的第l杂质、和具有促进原子空孔的扩散的功能的第2杂质，所述半导体层叠部包含所述杂质之中至少一方的含有量不同的在所述层叠方向上延伸的2个以上的区域，在所述2个以上的区域之中至少1个区域包含所述第l杂质和所述第2杂质双方，所述2个以上的区域彼此，所述光波导层的基于原子空孔扩散的混晶度与所述光波导层的带隙能量不同。 |
| 公开日期 | 2015-10-21 |
| 申请日期 | 2014-02-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65089]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 衣川耕平,谷口英广,田岛正文. 半导体光元件、半导体激光元件、及其制造方法、和半导体激光模块元件以及半导体元件的制造方法. CN104995805A. 2015-10-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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