III族氮化物半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 足立真宽; 德山慎司; 盐谷阳平; 京野孝史; 善积祐介; 秋田胜史; 上野昌纪; 片山浩二; 池上隆俊; 中村孝夫 |
| 发表日期 | 2012-05-16 |
| 专利号 | CN102460866A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面(13a)上。芯材半导体区域(19)设置于n型覆盖区域(15)与p型覆盖区域(17)之间。芯材半导体区域(19)包含第1光导层(21)、活性层(23)及第2光导层(25)。活性层(23)设置于第1光导层(21)与第2光导层(25)之间。芯材半导体区域(19)的厚度(D19)为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄到支撑基体(13)，可将光闭入于芯材半导体区域(19)内，因此可降低阈值电流。 |
| 公开日期 | 2012-05-16 |
| 申请日期 | 2010-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65125]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 足立真宽,德山慎司,盐谷阳平,等. III族氮化物半导体激光二极管. CN102460866A. 2012-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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