半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置
文献类型：专利
| 作者 | 早水勋; 立柳昌哉 |
| 发表日期 | 2009-07-01 |
| 专利号 | CN101471537A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置。本发明通过采用如下结构，即对在激光照射方向以外的3个方向上形成有框体(30)侧面的封装体(24)，安装覆盖激光照射方向及封装体(24)上表面且在激光照射位置形成有玻璃(26)的帽盖(25)，可缩短半导体元件(22)与玻璃(26)之间的距离，通过减小玻璃的直径(32)，既可维持半导体激光器的特性，又可实现薄型的半导体器件。另外，通过搭载该半导体器件还可使光拾取装置薄型化。 |
| 公开日期 | 2009-07-01 |
| 申请日期 | 2008-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65130]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早水勋,立柳昌哉. 半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置. CN101471537A. 2009-07-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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