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面発光レーザ素子及びその製造方法

文献类型:专利

作者田邉 衣加; 池永 賀彦; 岩井 則広; 影山 健生; 平岩 浩二; 吉川 弘和
发表日期2007-06-07
专利号JP2007142375A
著作权人FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE
国家日本
文献子类发明申请
其他题名面発光レーザ素子及びその製造方法
英文摘要【課題】酸化層狭窄型のVCSEL素子における酸化狭窄層の電流注入領域の形状を、静電破壊が生じ難い良好な円形状にする。 【解決手段】酸化狭窄層となるAlAs層を積層構造中に含むメサポスト51の外周形状を、AlAs層の酸化速度が速い結晶面に対応する外周部分で突出する形状にする。これにより、酸化狭窄層内の電流注入領域52の形状が良好な円形状となる。メサポスト51の平面形状として、1つの大円とその円弧上に中心を有する小円の突出部とから成る形状、略正方形状などを採用する。 【選択図】図1
公开日期2007-06-07
申请日期2006-10-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65132]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE
推荐引用方式
GB/T 7714
田邉 衣加,池永 賀彦,岩井 則広,等. 面発光レーザ素子及びその製造方法. JP2007142375A. 2007-06-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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