高功率半导体激光器阵列掩膜装置
文献类型:专利
作者 | 刘云; 王立军; 宁永强; 秦莉; 单肖楠; 付喜宏; 张金龙 |
发表日期 | 2011-11-23 |
专利号 | CN102251212A |
著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 高功率半导体激光器阵列掩膜装置 |
英文摘要 | 高功率半导体激光器阵列掩膜装置,涉及电子学技术领域,它解决现有高功率半导体激光器阵列的器件的绝缘片与芯片的热沉焊接采用人工涂抹过程中易出现焊料涂抹不均匀及涂抹错位,导致器件的稳定性和可靠性差的问题,本发明包括第一掩膜板、第二掩膜板、掩膜条和掩膜板架,所述第一掩膜板和第二掩膜板分别固定在掩膜板架上,第一掩膜板和第二掩膜板上分别设有六个掩膜板方孔组,每个掩膜板方孔组由掩膜条平均分成两个掩膜板方孔;掩膜板架内设置两个掩膜板架方孔组,每个掩膜板架方孔组上分别设置与第一掩膜板和第二掩膜板对称的六个掩膜板架方孔。本装置简单实用、制作成本低廉、器件一致性好、焊料涂抹精度高,适用于高功率半导体激光阵列的制作。 |
公开日期 | 2011-11-23 |
申请日期 | 2011-06-13 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65150] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘云,王立军,宁永强,等. 高功率半导体激光器阵列掩膜装置. CN102251212A. 2011-11-23. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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