半导体装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西口晴美; 广中美佐夫; 藏本恭介; 楠政谕; 铃木洋介 |
| 发表日期 | 2011-10-12 |
| 专利号 | CN102214895A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及能够确保高的散热性并且提高成品率的半导体装置及其制造方法。半导体激光器（1）以结向下方式隔着焊料（11）安装在副固定件（12）上。半导体激光器（1）具有：n型GaN衬底（2）；半导体层叠结构（3），形成在n型GaN衬底（2）上并含有pn结；电极（8），形成在半导体层叠结构（3）上。电极（8）隔着焊料（11）接合在副固定件（12）上。在副固定件（12）和半导体层叠结构（3）之间，以包围电极（8）的周围的方式配置有高熔点金属膜（10）。 |
| 公开日期 | 2011-10-12 |
| 申请日期 | 2011-04-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65169]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西口晴美,广中美佐夫,藏本恭介,等. 半导体装置及其制造方法. CN102214895A. 2011-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。