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集成型半导体激光元件及其制造方法

文献类型:专利

作者伊豆博昭; 山口勤; 大保广树; 广山良治; 畑雅幸; 太田洁
发表日期2006-03-29
专利号CN1753261A
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名集成型半导体激光元件及其制造方法
英文摘要本发明提供一种集成型半导体激光元件,在可以使激光的特性提高的同时,可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括:具有凸部和凹部之一方的第1半导体激光元件、和具有凸部和凹部之另一方的第2半导体激光元件。而且,将第1半导体激光元件的凸部和凹部之一方嵌入第2半导体激光元件的凸部和凹部之另一方中。
公开日期2006-03-29
申请日期2005-09-23
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65177]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
伊豆博昭,山口勤,大保广树,等. 集成型半导体激光元件及其制造方法. CN1753261A. 2006-03-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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