二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡边秀辉; 宫岛孝夫; 池田昌夫; 大木智之; 仓本大; 横山弘之 |
| 发表日期 | 2013-01-02 |
| 专利号 | CN102856788A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。 |
| 公开日期 | 2013-01-02 |
| 申请日期 | 2010-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65206]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡边秀辉,宫岛孝夫,池田昌夫,等. 二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法. CN102856788A. 2013-01-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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