半导体激光器设备及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 上田祯亮; 宫嵜启介; 和田一彦; 辰巳正毅; 森本泰司 |
| 发表日期 | 2004-06-02 |
| 专利号 | CN1501557A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器设备及其制造方法 |
| 英文摘要 | 在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。 |
| 公开日期 | 2004-06-02 |
| 申请日期 | 2003-11-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65231]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上田祯亮,宫嵜启介,和田一彦,等. 半导体激光器设备及其制造方法. CN1501557A. 2004-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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