III族氮化物半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 住友隆道; 上野昌纪; 善积祐介; 吉田乔久; 足立真宽 |
| 发表日期 | 2014-03-05 |
| 专利号 | CN103620895A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 在具有在包含开口的电流限制层上再生长有p型包覆层的结构的III族氮化物半导体激光元件中，减小由存在于半极性的再生长界面的n型杂质引起的影响。半导体激光元件（10）具有n型半导体区域（14）、活性层（16）、第一p型半导体区域（18）、电流限制层（20）以及第二p型半导体区域（22）。第二p型半导体区域（22）是在形成电流限制层（20）的开口（20a）之后再生长在第一p型半导体区域（18）上和电流限制层（20）上的区域。第一p型半导体区域（18）中的与第二p型半导体区域（22）的界面包含III族氮化物半导体的半极性面。第一p型半导体区域（18）具有构成第一p型半导体区域（18）与第二p型半导体区域（22）之间的界面且具有1×1020cm-3以上的p型杂质浓度的高浓度p型半导体层（18c）。 |
| 公开日期 | 2014-03-05 |
| 申请日期 | 2012-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65262]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 住友隆道,上野昌纪,善积祐介,等. III族氮化物半导体激光元件. CN103620895A. 2014-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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