双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 关宝璐; 任秀娟; 郭霞; 李硕; 史国柱; 李川川; 郝聪霞; 郭帅; 周弘毅; 苏治平 |
| 发表日期 | 2012-07-11 |
| 专利号 | CN102570301A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法 |
| 英文摘要 | 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器，达到激射波长的动态、可调的目的。 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 申请日期 | 2010-12-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65265]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关宝璐,任秀娟,郭霞,等. 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法. CN102570301A. 2012-07-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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