纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板
文献类型：专利
| 作者 | 刘文 ; 王定理; 周宁; 赵彦立; 徐智谋
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| 发表日期 | 2009-06-03 |
| 专利号 | CN101446759A |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板 |
| 英文摘要 | 一种纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板，方法是使用刻有分布反馈光栅图案的一次压印模板，是利用电子束直写技术在一次模板上制作100～1000个分布反馈光栅结构，在分布反馈光栅中间具有相移结构的一次压印模板，利用分步重复压印方法在另一基片上连续印制，将该基片制作出具有多个与一次压印模板上的分布反馈光栅图案相同的直径为2～4英寸大小的二次压印模板。压印方法是采用热压印方法，或采用紫外固化压印方法，或微接触压印方法中的一种。采用上述方法制作的二次压印模板，包括有基板，在基板上形成有多数个相同的密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈光栅结构。本发明具有光栅分辨率高、重复性好，制作成本低，生产效率高的特点。 |
| 公开日期 | 2009-06-03 |
| 申请日期 | 2008-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65279]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文,王定理,周宁,等. 纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板. CN101446759A. 2009-06-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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