一种共面电极的边发射半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 赵泽平; 刘宇; 张一鸣; 张志珂; 刘建国; 祝宁华 |
| 发表日期 | 2017-01-18 |
| 专利号 | CN106340809A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种共面电极的边发射半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种共面电极的边发射半导体激光器，包括一衬底、两个N电极和一个P电极，所述P电极位于两个N电极中间，其中，两个N电极的顶面与所述P电极的上表面位于同一水平面。本发明通过将边发射的半导体激光器的N极制备在衬底的上表面，通过绝缘材料将N极与P极制备在同一平面，形成共面电极结构；相比于异面电极结构的激光器，减小了N极与P极的纵向距离，有效地减小了激光器芯片的寄生电容和寄生电阻，提高了芯片的调制速率，同时更容易实现芯片的测试和封装工作；本发明可直接采用倒装焊技术，避免金丝的使用，减小封装中的寄生电感；本发明的共面电极的边发射半导体激光器结构适用于高速光电子发射器件中。 |
| 公开日期 | 2017-01-18 |
| 申请日期 | 2016-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65297]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵泽平,刘宇,张一鸣,等. 一种共面电极的边发射半导体激光器. CN106340809A. 2017-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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