具有含铟包层的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | R·巴特; D·S·兹佐夫; C-E·扎 |
| 发表日期 | 2013-11-20 |
| 专利号 | CN103403985A |
| 著作权人 | 康宁股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有含铟包层的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 半导体激光器的一个实施例包括：(a)GaN、AlGaN、InGaN或AlN衬底；(b)位于衬底之上的n掺杂包层；(c)位于n掺杂包层之上的p掺杂包层；(d)位于n掺杂包层和p掺杂包层之间的至少一个有源层，并且所述包层中的至少一个包括AlInGaN/GaN、AlInGaN/AlGaN、AlInGaN//InGaN或AlInGaN/AlN的超结构结构，其组成使整个结构的总晶格失配应变不超出40nm％。 |
| 公开日期 | 2013-11-20 |
| 申请日期 | 2012-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65310]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 康宁股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R·巴特,D·S·兹佐夫,C-E·扎. 具有含铟包层的半导体激光器. CN103403985A. 2013-11-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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