整合された酸化物開口と介在層への接点を備えた半導体デバイス
文献类型：专利
| 作者 | ビジェイセクハー ジャヤラマン; ジョナサン ジェスク |
| 发表日期 | 2000-05-30 |
| 专利号 | JP2000151015A |
| 著作权人 | ゴア エンタープライズ ホールディングス,インコーポレイティド |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 整合された酸化物開口と介在層への接点を備えた半導体デバイス |
| 英文摘要 | 【課題】 集積型の垂直キャビティ表面放射レーザー(VCSEL)を備えた半導体デバイスの製造において、長波長と短波長の2つのVCSELの光モードを正確に整合する方法を提供する。 【解決手段】 上部酸化物層によって画成された上部酸化物開口、下部酸化物層によって画成された下部酸化物開口、及び上部酸化物層と下部酸化物層の間に配置された電気接触に適する接点層を備え、中心垂直軸を有し、かつその上部酸化物開口と下部酸化物開口がその中心垂直軸と実質的に同一直線上にある半導体デバイスの製造に使用される方法であって、上部酸化物層を越えて接点層までエッチングし、上部酸化物層と下部酸化物層を横切る1以上の孔をエッチングし、上部酸化物層と下部酸化物層の双方を同時に酸化する、各工程を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造に使用される方法である。 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 申请日期 | 1999-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65316]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ゴア エンタープライズ ホールディングス,インコーポレイティド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ビジェイセクハー ジャヤラマン,ジョナサン ジェスク. 整合された酸化物開口と介在層への接点を備えた半導体デバイス. JP2000151015A. 2000-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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