表面发光半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 渡部义昭; 成井启修; 黑水勇一; 山内义则; 田中嘉幸 |
| 发表日期 | 2007-05-16 |
| 专利号 | CN1964145A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 表面发光半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。 |
| 公开日期 | 2007-05-16 |
| 申请日期 | 2004-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65340]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡部义昭,成井启修,黑水勇一,等. 表面发光半导体激光元件. CN1964145A. 2007-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。