氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件
文献类型：专利
| 作者 | 松山裕司; 铃木真二; 伊势康介; 道上敦生; 米田章法 |
| 发表日期 | 2005-10-05 |
| 专利号 | CN1677778A |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)，或者与该偏角a(θa)大致垂直的方向上具有偏角b(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。 |
| 公开日期 | 2005-10-05 |
| 申请日期 | 2005-04-04 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65364]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松山裕司,铃木真二,伊势康介,等. 氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件. CN1677778A. 2005-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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