半导体激光器腔面温度的测量方法
文献类型：专利
| 作者 | 饶岚; 宋国峰; 汪卫敏; 陈良惠 |
| 发表日期 | 2010-10-20 |
| 专利号 | CN101865729A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器腔面温度的测量方法 |
| 英文摘要 | 一种利用扫描近场光学显微镜测量半导体激光器腔面温度的方法，包括如下步骤：将半导体激光器安装在热沉上，并引出电极；测试半导体激光器的参数；将热沉固定在扫描近场光学显微镜样品测试台上；将电极与电流输出装置的电流输出端连接；将扫描近场光学显微镜的探针置于半导体激光器的出光腔面上方；将半导体激光器与扫描近场光学显微镜探针逼近，而处于非接触的工作状态；根据半导体激光器的特征尺寸，确定包含半导体激光器的有源区的扫描范围；在没有电流注入的条件下，扫描获得形貌图像；再注入一个恒定的电流，获得半导体激光器出光腔面的形貌图像和近场光斑图像；比较注入电流前后的形貌图像，计算出形貌变化的差值；根据半导体激光器中各种材料的热膨胀系数，计算出对应的温度变化。 |
| 公开日期 | 2010-10-20 |
| 申请日期 | 2009-04-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65371]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 饶岚,宋国峰,汪卫敏,等. 半导体激光器腔面温度的测量方法. CN101865729A. 2010-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。