二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大谷茂树; 木下博之; 松波弘之; 须田淳; 天野浩; 赤崎勇; 上山智 |
| 发表日期 | 2005-10-05 |
| 专利号 | CN1678772A |
| 著作权人 | 独立行政法人物质・材料研究机构 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种具有与氮化物系化合物半导体的劈开面相同的劈开面且具有导电性的二硼化物单晶衬底和使用它的半导体激光二极管与半导体装置以及它们的制造方法，其中所述二硼化物单晶衬底为二硼化物XB2 (其中，X为Zr或Ti)单晶衬底1，其特征在于：二硼化物XB2单晶衬底1的面取向为(0001)面2且衬底的厚度设定为0.1mm或以下。另外，沿(10－10)面4的劈开和分割能够轻易地进行。使用该衬底，如果形成基于氮化物系化合物的半导体激光二极管等，则能够实现纵向构造元件。在分割元件时，通过沿(10－10)面进行分割，便能够形成损耗较少的半导体激光二极管的谐振面，并能够实现没有因切断余量引起的损耗的制造方法。 |
| 公开日期 | 2005-10-05 |
| 申请日期 | 2003-08-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65376]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 独立行政法人物质・材料研究机构 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大谷茂树,木下博之,松波弘之,等. 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法. CN1678772A. 2005-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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