半导体激光装置及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 鹿岛孝之; 牧田幸治 |
| 发表日期 | 2007-10-31 |
| 专利号 | CN101064412A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种能够实现高成品率的单片型多波长半导体激光装置及其制作方法。红外激光元件(110)和红色激光元件(120)形成在同一个衬底(101)上。各激光元件(110及120)分别包括由n型包层(103、113)、活性层(104、114)及p型第一包层(105、115)按照上述顺序叠层而成的双重异质结构，以及包含在p型第二包层(107、117)和其上面设置的p型接触层(109、209)的山脊状导波路(150、160)。在各山脊状导波路(150、160)的两侧侧壁及其周围形成了电流阻挡层(132)，并在电流阻挡层(132)上形成了漏电防止层(133)。 |
| 公开日期 | 2007-10-31 |
| 申请日期 | 2006-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65397]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鹿岛孝之,牧田幸治. 半导体激光装置及其制作方法. CN101064412A. 2007-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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