一种半导体激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭经纬; 武晓琴; 刘妍; 徐朝鹏; 王海燕 |
| 发表日期 | 2016-11-09 |
| 专利号 | CN106099641A |
| 著作权人 | 燕山大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。 |
| 公开日期 | 2016-11-09 |
| 申请日期 | 2016-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65412]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 燕山大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭经纬,武晓琴,刘妍,等. 一种半导体激光器的制备方法. CN106099641A. 2016-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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