半导体激光器设备
文献类型：专利
| 作者 | 若林和弥; 今西大介 |
| 发表日期 | 2010-07-28 |
| 专利号 | CN101789560A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器设备 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器设备，包括：散热部件，包括具有前端部的主体和一对突出部分，所述前端部在左右方向延伸，所述一对突出部分从所述前端部的两侧向前突出；半导体激光器装置，沿主体的前端部被接合；以及加强构件，用于桥接所述一对突出部分。 |
| 公开日期 | 2010-07-28 |
| 申请日期 | 2010-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65429]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 若林和弥,今西大介. 半导体激光器设备. CN101789560A. 2010-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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