激光二极管和激光二极管器件
文献类型：专利
| 作者 | 仓本大; 浅野竹春 |
| 发表日期 | 2007-03-21 |
| 专利号 | CN1933262A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激光二极管和激光二极管器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种可以容易安装的激光二极管以及其中安装了该激光二极管的激光二极管器件。将孔布置在半导体层内，p型电极和n型半导体层通过该孔的底部(连接部分)而相互电连接。这样，p型电极具有和n型半导体层相同的电势，且可饱和吸收区域形成于和电流通路相对应的区域内。增益区域(未示出)内产生的光被吸收到可饱和吸收区域内而被转换成电流。该电流通过p侧电极和底部而被释放到地，可饱和吸收区域和增益区域之间的相互作用被触发，由此产生自振荡。 |
| 公开日期 | 2007-03-21 |
| 申请日期 | 2006-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65483]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仓本大,浅野竹春. 激光二极管和激光二极管器件. CN1933262A. 2007-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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